Siliziumnitrid-Keramiksubstrat für die Elektronik

Siliziumnitrid-Keramiksubstrat für die Elektronik

Siliziumnitrid-Keramiksubstrat für die Elektronik ist eine spezielle Art von Keramikmaterial, das in verschiedenen industriellen Anwendungen verwendet wird, bei denen hohe Festigkeit, Haltbarkeit und thermische Stabilität erforderlich sind. Es besteht aus einer Kombination von Silizium, Stickstoff und anderen Elementen, die ihm einzigartige mechanische, thermische und chemische Eigenschaften verleihen.

Das Si3N4-Keramiksubstrat verfügt über eine außergewöhnliche mechanische Festigkeit und ist daher äußerst widerstandsfähig gegen Verschleiß und Schäden durch Stöße und Druck. Es ist außerdem äußerst temperaturschockbeständig und hält schnellen Temperaturschwankungen stand, ohne zu reißen oder zu brechen. Dadurch eignet es sich ideal für den Einsatz in Hochtemperaturindustrien wie der Luft- und Raumfahrt, dem Automobilbau und anderen Bereichen, in denen eine Wärmeableitung erforderlich ist.

Zusätzlich zu seinen mechanischen und thermischen Eigenschaften bietet das Si3N4-Keramiksubstrat auch eine hervorragende elektrische Isolierung und gute Korrosionsbeständigkeit in rauen Umgebungen. Aufgrund seiner hervorragenden Wärmeableitungs- und Isolationseigenschaften wird es in Elektronik- und Halbleiteranwendungen wie Leistungsmodulen und Hochtemperaturelektronik eingesetzt.

Insgesamt ist das Si3N4-Siliziumnitrid-Keramiksubstrat ein außergewöhnliches Material mit einem breiten Anwendungsspektrum. Seine außergewöhnliche mechanische Festigkeit, thermische Stabilität, elektrische Isolierung und chemische Beständigkeit machen es ideal für verschiedene industrielle und elektronische Anwendungen, bei denen Zuverlässigkeit und Effizienz entscheidende Faktoren sind.

Das Torbo® Siliziumnitrid-Keramiksubstrat für die Elektronik

Artikel: Siliziumnitrid-Substrat

Material: Si3N4

Farbe: Grau

Dicke: 0,25–1 mm

Oberflächenbearbeitung: Doppelt poliert

Schüttdichte: 3,24 g/㎤

Oberflächenrauheit Ra: 0,4 μm

Biegefestigkeit: (3-Punkt-Methode): 600–1000 MPa

Elastizitätsmodul: 310 Gpa

Bruchzähigkeit (IF-Methode): 6,5 MPa･√m

Wärmeleitfähigkeit: 25°C 15-85 W/(m･K)

Dielektrischer Verlustfaktor: 0,4

Durchgangswiderstand: 25°C >1014 Ω･㎝

Durchschlagsfestigkeit: DC >15㎸/㎜