Anwendung: Für Siliziumkarbid-Substrate, lange Ausdehnung, mehrfache Verwendung von Niederspannungsschaltkreisen und VLSI-Hochkühlungspaketen, wie z. B. Hochgeschwindigkeits-LSI-Band mit hoher Integrationslogik und supergroße Computer, Lichtkommunikationskredit-Laserdioden-Substratanwendung usw.
WeiterlesenAluminiumnitrid-Substrat: A. Rohstoff: AIN kommt nicht in der Natur vor, sondern wurde 1862 als künstliches Mineral erstmals von Genther et al. synthetisiert. Die Darstellung der Darstellung des Aln-Pulvers soll durch die Nitridmethode und die direkte Nitridierungsmethode reduziert werden. Ersteres......
WeiterlesenFilmgesetz: Metallisierung durch Vakuumbeschichtung, Ionenplattierung, Sputterbeschichtung usw. Der Wärmeausdehnungskoeffizient des Metallfilms und des Keramiksubstrats sollte jedoch so gut wie möglich sein und die Haftung der Metallisierungsschicht sollte verbessert werden;
WeiterlesenTypische Formungsmethoden für Keramik sind vier Arten: Pulverpressformen (geformt usw.), Extrusionsformen, Gussformen und Formen. Das Gießverfahren wird in den letzten Jahren aufgrund seiner einfachen Ausführung und hohen Produktionseffizienz bei der Herstellung von Substraten für LSI-Gehäuse und ge......
WeiterlesenErstens die Beschaffenheit des Keramiksubstrats 1. Mechanische Eigenschaften: (Ausbildung der Stromkreisverdrahtung) A. Sie verfügen über eine hohe mechanische Festigkeit und können neben tragenden Komponenten auch als tragende Komponenten verwendet werden.
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