Aluminiumnitrid-Substrat

MullitSubstrat(3 a1203. 2Si02): ist eine der stabilsten Kristallphasen im A1203-Si02-Binärsystem, obwohl mechanische Festigkeit und Wärmeleitfähigkeit im Vergleich zu A1203 gering sind, aber seine Dielektrizitätskonstante niedrig ist, sodass eine weitere Verbesserung des Signals erwartet wird Übertragungsgeschwindigkeit. Der Wärmeausdehnungskoeffizient ist ebenfalls niedrig, was die thermische Belastung des LSI verringern kann, und der Unterschied in den Wärmeausdehnungskoeffizienten der Leitermaterialien Mo, W ist gering, wodurch die Spannung zwischen den Leitern während des Zyklierens gering ist.

AluminiumNitridsubstrat:
A. Rohstoff: AIN kommt nicht in der Natur vor, sondern wurde 1862 als künstliches Mineral erstmals von Genther et al. synthetisiert. Die Darstellung der Darstellung des Aln-Pulvers soll durch die Nitridmethode und die direkte Nitridierungsmethode reduziert werden. Ersteres reagiert mit einer hochreinen Kohlenstoffreduktion in A1203 und reagiert dann mit Stickstoff, und letzteres nitriert direkt. ;

B. Herstellungsmethode: A1203SubstratDie Herstellung kann bei der Herstellung von AIN-Substraten verwendet werden, wobei die organische Laminierungsmethode maximal genutzt wird, d. entfettend, brennend

C. Die Eigenschaften des AIN-Substrats: AIN beträgt mehr als das Zehnfache und der CTE entspricht dem des Siliziumwafers. Das AIN-Material ist relativ mit dem A1203 verwandt, der Isolationswiderstand, die Isolierung und die Dielektrizitätskonstante sind geringer. Diese Merkmale sind bei Verpackungssubstratanwendungen sehr selten;

D. Anwendung: Wird für VHF-Frequenzband-Leistungsverstärkermodule (Ultrahochfrequenz), Hochleistungsgeräte und Laserdiodensubstrate verwendet.